중국 과학기술대학 물리학과의 판펑지아 교수와 허난대학의 션화이빈 교수는 EETA 기술을 사용하여 녹색 인듐 인화물 기반 양자점 발광 다이오드의 핵심 과학적 문제를 심층적으로 연구하기 위해 협력했습니다.
그들은 녹색 인듐 인화물 기반 양자점 LED에 대해 26.68%의 최대 외부 양자 효율(이큐이)과 270,000 CD/m2 이상의 밝기, 초기 밝기 1,000 CD/m2에서 1,241시간의 T95(밝기가 초기 값의 95%로 감소) 수명을 성공적으로 달성하여 새로운 세계 기록을 세웠습니다.
전기적으로 여기된 과도 흡수의 원리와 인듐 인화물 기반 양자점 LED의 주요 과학적 문제
판펑지아 교수와 연구팀의 최근 연구에 따르면, 현재 녹색 인듐 인화물 기반 양자점 LED의 성능이 낮은 주요 원인은 전자 주입이 불충분하고 전자 누출이 심각하기 때문인 것으로 나타났습니다.
이를 위해 연구팀은 전자 주입 효율을 향상시켰을 뿐만 아니라 누설 현상을 효과적으로 억제하는 으아아아아 낮고 넓은 배리어 설계를 제안했습니다. 이러한 최적화를 통해 연구팀은 세계 신기록을 달성했습니다.
관련 연구 결과는 "전자 주입 및 누출을 제어하여 효율적인 녹색 인피 기반 큐디-LED를 구현하는 방법"이라는 제목으로 자연 저널에 게재되었으며, 이는 무독성 양자점 주도의 기술 분야에서 중요한 진전을 의미합니다.
